성막 프로세스 장치
성막 프로세스 장치는 웨이퍼 상에 회로 소재가 되는 나노 레벨의 박막을 형성하는 장치입니다.
최근 반도체 디바이스의 구조의 복잡화, 3차원화로 인해 웨이퍼의 표면이
복잡한 형상이 되면서 높은 난이도의 성막 기술이 요구되고 있습니다.
당사 그룹은 LP-CVD※1 기술, 산화 기술, 어닐링(저온, 고온) 기술,
확산 기술, ALD※2 기술에 대응한 성막 프로세스 장치를 제공하고 있으며, 전세계 반도체 디바이스 메이커로부터 높은 평가를 받고 있습니다.
※1 : Low Pressure Chemical Vapor Deposition (저압화학기상성막)
※2 : 당사 그룹에서는 복수의 가스를 주기적으로 공급하는 공정을 통해 원자층 레벨로 성막하는 공법을 「ALD」라고 부르고 있습니다.
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Mini-Batch 성막장치
Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ 剱
대응 프로세스
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박막형성
당사 성막프로세스 장치의 최상위 모델인 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ 剱는 구조가 점점 미세화되고 복잡해지는 차세대 디바이스에 대한 고난이도의 성막 및 고생산성을 동시에 구현하는 열처리 프로세스 장치입니다. 성막이 필요한 표면적이 더욱 증가하고 구조가 더욱 복잡해지는 3차원 적층 디바이스에 대해 고난이도 성막을 실현하는 신기술을 적용함으로써, 고품질의 프로세스 제공을 가능하게 하였습니다.
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Mini-Batch 성막장치
Advanced TSURUGI 剱
대응 프로세스
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박막형성
Advanced TSURUGI 剱는 구조의 미세화・복잡화가 진행되고 있는 차세대 디바이스에 대한 고난이도 성막 및 고생산성 모두를 충족시키는 열처리 프로세스 장치입니다. 3차원 적층 디바이스에 대한 고난이도 성막을 실현하는 새로운 반응로를 적용함으로써, 고품질의 프로세스 제공을 가능하게 했습니다.
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Mini-Batch 성막장치
TSURUGI-C²® 剱®
대응 프로세스
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박막형성
TSURUGI-C²® 剱®는 차세대 디바이스에 대한 고난이도 성막 및 고생산성 모두를 충족시키는 열처리 프로세스 장치입니다. 웨이퍼 반응로 등 고품질의 프로세스 제공이 가능한 성막 처리 기술을 채택하고 있습니다.
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Large-Batch 성막장치
AdvancedAce®-II
대응 프로세스
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박막형성
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CVD막・산화막 형성
AdvancedAce®-II는 당사의 핵심기술인 온도 제어 기술, 자동 반송 기술, 진공・가스 치환 기술, 냉각 기술, 성막 기술을 결집시켜 비약적으로 사이클 타임을 단축하고 높은 처리용량을 실현한 열처리 프로세스 장치입니다.
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Large-Batch 성막장치
QUIXACE®-II
대응 프로세스
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박막형성
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CVD막・산화막 형성
QUIXACE®-II는 당사의 핵심기술인 온도 제어 기술, 자동 반송 기술, 진공・가스 치환 기술, 냉각 기술, 성막 기술을 결집시켜 비약적으로 사이클 타임을 단축하고 높은 처리용량을 실현한 열처리 프로세스 장치입니다.
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Large-Batch 성막장치
VERTEX® Revolution
대응 프로세스
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박막형성
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CVD막・산화막 형성
풍부한 납입 실적을 자랑하는 베스트 셀러 장치이자 200mm 웨이퍼 대응 Batch 열처리 프로세스 장치인 VERTEX® 시리즈의 최신판이 「VERTEX® Revolution」입니다.
소량 다품종 라인부터 대량 생산 라인까지, 고객의 요구에 최적의 기종을 선택하실 수 있으며, 200mm 웨이퍼 이외의 150mm 웨이퍼 이하도 대응 가능합니다. -
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Large-Batch EPI 성막장치
QUIXACE®-LV
대응 프로세스
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박막형성
QUIXACE®-LV는 당사의 핵심기술인 온도 제어 기술, 자동 반송 기술, 진공・가스 치환 기술, 냉각 기술, 성막 기술을 결집시켜 비약적으로 사이클 타임을 단축하고 높은 처리용량을 실현한 열처리 프로세스 장치입니다. 웨이퍼의 Loading Area를 진공 Loadlock 구조로 함으로써, 자연 산화막 및 오염을 궁극적으로 저감하고, 보다 고품질의 성막이 가능합니다.
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트리트먼트(막질개선) 프로세스 장치
트리트먼트(막질 개선) 프로세스 장치는 형성한 박막에 플라즈마나 열을 가함으로써 막 내부의 불순물을 제거하고 입자를 안정시켜 막질을 개선시키는 장치입니다.
최근 반도체
디바이스의 미세화, 복잡화에 따라 저온 환경에서의 막질 개선을 가능하게 하는 트리트먼트 기술에 대한 수요가 확대되고 있습니다.
당사 그룹에서는 질화・산화 또는
큐어・어닐에 대응한 트리트먼트 장치를 제공하고 있으며, 전세계 반도체 디바이스 메이커로부터 높은 평가를 받고 있습니다.
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매엽 트리트먼트 장치
MARORA®
대응 프로세스
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플라즈마 질화(절연막 질화)
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플라즈마 산화(박막 산화막 형성, 선택 산화, 이방성 산화)
MARORA®는 차세대 DRAM, 로직의 게이트 절연막 형성, 플래시 메모리의 절연막 형성에 최적인 장치입니다.
MARORA®는 독자적인 플라즈마 생성 방식(MMT※방식)을 이용함으로써 효율적으로 약 1eV의 저전자 온도 플라즈마 형성이 가능하고, 플라즈마 데미지가 없는 플라즈마 처리를 실현하고 있습니다. -
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매엽 트리트먼트 장치
TANDUO®
대응 프로세스
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어닐(저온, 고온)
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박막형성
TANDUO®는 프로세스에 대응한 모듈 선택을 통해 큐어, 어닐, 가스 제거 등에 맞는 최적의 시스템을 제공할 수 있습니다.
또한 당사의 독자적인 고속 반송 시스템과의 조합으로 뛰어난 생산성과 파티클 발생을 최소화한 프로세스 환경 제공을 실현하고 있습니다. -
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Large-Batch 트리트먼트 장치
AdvancedAce®-II
대응 프로세스
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산화
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확산
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어닐(저온, 고온)
AdvancedAce®-II는 당사의 핵심기술인 온도 제어 기술, 자동 반송 기술, 진공・가스 치환 기술, 냉각 기술, 성막 기술을 결집시켜 비약적으로 사이클 타임을 단축하고 높은 처리용량을 실현한 열처리 프로세스 장치입니다.
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Large-Batch 트리트먼트 장치
QUIXACE®-II
대응 프로세스
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산화
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확산
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어닐(저온, 고온)
QUIXACE®-II는 당사의 핵심기술인 온도 제어 기술, 자동 반송 기술, 진공・가스 치환 기술, 냉각 기술, 성막 기술을 결집시켜 비약적으로 사이클 타임을 단축하고 높은 처리용량을 실현한 열처리 프로세스 장치입니다.
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Large-Batch 트리트먼트 장치
VERTEX® Revolution
대응 프로세스
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산화
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확산
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어닐(저온, 고온, 초고온)
풍부한 납입 실적을 자랑하는 베스트 셀러 장치이자 200mm 웨이퍼 대응 Batch 열처리 프로세스 장치인 VERTEX® 시리즈의 최신판이 「VERTEX® Revolution」입니다.
소량 다품종 라인부터 대량 생산 라인까지, 고객의 요구에 최적의 기종을 선택하실 수 있으며, 200mm 웨이퍼 이외의 150mm 웨이퍼 이하도 대응 가능합니다. -